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IXDR30N120D1

IXDR30N120D1
Mfr. #:
IXDR30N120D1
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors 30 Amps 1200V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXDR30N120D1 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXDR30N120D1 DatasheetIXDR30N120D1 Datasheet (P4)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
ISOPLUS247-3
Montageart:
Durchgangsloch
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1.2 kV
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.4 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
50 A
Pd - Verlustleistung:
200 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
IXDR30N120
Verpackung:
Rohr
Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:
60 A
Höhe:
21.34 mm
Länge:
16.13 mm
Betriebstemperaturbereich:
- 55 C to + 150 C
Breite:
5.21 mm
Marke:
IXYS
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
50 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
500 nA
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
IGBTs
Handelsname:
ISOPLUS
Gewichtseinheit:
0.186952 oz
Tags
IXDR3, IXDR, IXD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
***ark
Igbt W/ Diode; 1.2Kv, 50A; Isoplus-247; Dc Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):2.4V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Product Range:-; Msl:- Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. IGBT, ISOPLUS247; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.4V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AD; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Current Ic Continuous a Max:50A; Fall Time tf:70ns; Junction to Case Thermal Resistance A:0.6°C/W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:Copack (FRD); Power Dissipation Max:200W; Rise Time:70ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:1.2kV
***nell
IGBT, ISOPLUS247; Prąd kolektora DC:50A; Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on):2.4V; Straty mocy Pd:200W; Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo:1.2kV; Rodzaj obudowy tranzystora:TO-247AD; Liczba pinów:3piny/-ów; Temperatura robocza, maks.:150°C; Asortyment produktów:-; Kwalifikacja motoryzacyjna:-; Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL:-; Substancje SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Biegunowość tranzystora:Kanał N; Czas narastania:70ns; Czas opadania tf:70ns; Konfiguracja pinów:Copack (FRD); Napięcie Vces:1.2kV; Prąd Ic stały a, maks.:50A; Rezystancja termiczna złącze - obudowa A:0.6°C/W; Rodzaj tranzystora:IGBT; Straty mocy, maks.:200W; Temperatura robocza, min.:-55°C; Typ zakończenia:Przewlekane; Zakres temperatury roboczej:-55°C do +150°C
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXDR30N120D1
DISTI # IXDR30N120D1-ND		IXYS CorporationIGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$10.0040
IXDR30N120D1
DISTI # 747-IXDR30N120D1		IXYS CorporationIGBT Transistors 30 Amps 1200V
RoHS: Compliant		1
  • 1:$11.3300
  • 10:$10.3000
  • 25:$9.5300
  • 50:$8.9800
  • 100:$8.7600
  • 250:$7.9800
  • 500:$7.4700
IXDR30N120D1
DISTI # 1300075		IXYS CorporationIGBT, ISOPLUS247
RoHS: Compliant		0
  • 1:£9.1200
  • 5:£8.5700
  • 10:£7.2100
  • 50:£6.7900
  • 100:£6.6500
Bild Teil # Beschreibung
MM5Z6V2ST1G

Mfr.#: MM5Z6V2ST1G

OMO.#: OMO-MM5Z6V2ST1G

 Zener Diodes 6.2V 200mW
CZRU52C6V2

Mfr.#: CZRU52C6V2

OMO.#: OMO-CZRU52C6V2

 Zener Diodes Zener Diode 150mW, 6.2V
CD74HC4538M96

Mfr.#: CD74HC4538M96

OMO.#: OMO-CD74HC4538M96

 Monostable Multivibrator Hi-Spd CMOS Dual Retrig Precision
LP2951ACMX/NOPB

Mfr.#: LP2951ACMX/NOPB

OMO.#: OMO-LP2951ACMX-NOPB

 LDO Voltage Regulators Adj Micropower Vltg Reg
LP2951ACMX/NOPB

Mfr.#: LP2951ACMX/NOPB

OMO.#: OMO-LP2951ACMX-NOPB-TEXAS-INSTRUMENTS

 LDO Voltage Regulators Adj Micropower Vltg Reg
CZRU52C6V2

Mfr.#: CZRU52C6V2

OMO.#: OMO-CZRU52C6V2-COMCHIP-TECHNOLOGY

 Zener Diodes Zener Diode 150mW, 6.2V
CD74HC4538M96

Mfr.#: CD74HC4538M96

OMO.#: OMO-CD74HC4538M96-TEXAS-INSTRUMENTS

 Neu und Original
BD244B

Mfr.#: BD244B

OMO.#: OMO-BD244B-ON-SEMICONDUCTOR

 TRANS PNP 80V 6A TO220AB
MM5Z6V2ST1G

Mfr.#: MM5Z6V2ST1G

OMO.#: OMO-MM5Z6V2ST1G-ON-SEMICONDUCTOR

 Zener Diodes 6.2V 200mW
Verfügbarkeit
Aktie:
121
Auf Bestellung:
2104
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
11,33 $
11,33 $
10
10,30 $
103,00 $
25
9,53 $
238,25 $
50
8,98 $
449,00 $
100
8,76 $
876,00 $
250
7,98 $
1 995,00 $
500
7,47 $
3 735,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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