TK12A60W,S4VX

TK12A60W,S4VX
Mfr. #:
TK12A60W,S4VX
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK12A60W,S4VX Datenblatt
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ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
11.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
300 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2.7 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
10 V
Qg - Gate-Ladung:
25 nC
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
35 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSIV
Höhe:
15 mm
Länge:
10 mm
Serie:
TK12A60W
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
5.5 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
23 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
85 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
45 ns
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
TK12A60W, TK12A60, TK12A6, TK12A, TK12, TK1
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***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
***
POWER MOSFET TRANSISTOR
***et
DTMOSIV_600V_300MOHM MAX(VGS=10V)_TO-220SIS
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Bild Teil # Beschreibung
AD8361ARTZ-RL7

Mfr.#: AD8361ARTZ-RL7

OMO.#: OMO-AD8361ARTZ-RL7

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ULN2004ADR

Mfr.#: ULN2004ADR

OMO.#: OMO-ULN2004ADR

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PIC18F24Q10-I/SS

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8-bit Microcontrollers - MCU 16KB Flash, 1KB RAM, 256B EEPROM, 10b ADC2, 5b DAC, Comp, PWM, CCP, CWG, HLT, WWDT, SCAN/CRC, ZCD, PPS, EUSART, SPI/I2C, IDLE/DOZE/PMD
P0200-19

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OMO.#: OMO-P0200-19

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0603L050SLYR

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AD8009JRTZ-REEL7

Mfr.#: AD8009JRTZ-REEL7

OMO.#: OMO-AD8009JRTZ-REEL7-ANALOG-DEVICES-INC-ADI

High Speed Operational Amplifiers 1GHz 5,500 V/uS Low Distortion
Verfügbarkeit
Aktie:
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Auf Bestellung:
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4,09 $
10
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32,90 $
100
3,00 $
300,00 $
250
2,70 $
675,00 $
500
2,43 $
1 215,00 $
1000
2,05 $
2 050,00 $
2500
1,95 $
4 875,00 $
5000
1,87 $
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