FDMB506P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MicroFET-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

30 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

6.8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.9 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

175 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Gewichtseinheit:

0.002363 oz

Tags

FDMB, FDM