OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hallo, melde dich anMein Konto
0 Wagen

2SC5712(TE12L,F)

2SC5712(TE12L,F)
Mfr. #:
2SC5712(TE12L,F)
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
2SC5712(TE12L,F) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Y
Montageart:
Durchgangsloch
Polarität des Transistors:
NPN
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kollektor- Basisspannung VCBO:
100 V
Emitter- Basisspannung VEBO:
7 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
0.14 V
Maximaler DC-Kollektorstrom:
3 A
Serie:
2SC5712
Verpackung:
Spule
Marke:
Toshiba
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
0.3 A
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
400
Pd - Verlustleistung:
1 W
Produktart:
BJTs - Bipolartransistoren
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
2SC5712, 2SC571, 2SC57, 2SC5, 2SC
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
***et Europe
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin SC-62 Emboss T/R
*** Source Electronics
Silicon NPN Epitaxial Type ,High-Speed Switching Applications
*** Americas
Power transistor for high-speed switching applications
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
2SC5712(TE12L,F)
DISTI # 30599506		Toshiba America Electronic ComponentsTrans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
RoHS: Compliant		16330
  • 1000:$0.1683
  • 500:$0.1963
  • 100:$0.2206
  • 96:$0.2244
2SC5712(TE12L,F)
DISTI # C1S751200888588		Toshiba America Electronic ComponentsTrans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
RoHS: Compliant		16330
  • 4000:$0.1270
  • 1000:$0.1320
  • 500:$0.1540
  • 100:$0.1730
  • 50:$0.1760
  • 10:$0.2090
2SC5712(TE12L,F)
DISTI # 757-2SC5712TE12LF		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
RoHS: Compliant		0
    2SC5712(TE12L,F)Toshiba America Electronic Components 6125
      Bild Teil # Beschreibung
      2SC5712(TE12L,F)

      Mfr.#: 2SC5712(TE12L,F)

      OMO.#: OMO-2SC5712-TE12L-F-

      		 Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
      2SC5712(TE12L,F)

      Mfr.#: 2SC5712(TE12L,F)

      OMO.#: OMO-2SC5712-TE12L-F--122

      		 Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      4000
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von 2SC5712(TE12L,F) dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Beginnen mit
      Top