IXTP16N50P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

16 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

400 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

43 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PolarHV

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16 mm

Länge:

10.66 mm

Serie:

IXTP16N50

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

PolarHV Leistungs-MOSFET

Breite:

4.83 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

9 S

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

28 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

70 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

24 ns

Gewichtseinheit:

0.081130 oz

Tags

IXTP16, IXTP1, IXTP, IXT