PMZ350UPEYL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-1006-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

940 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

450 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

1.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

360 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.5 mm

Länge:

1.02 mm

Produkt:

MOSFET

Typ:

Trench-MOSFET

Breite:

0.62 mm

Marke:

Nexperia

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.4 S

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4 ns

Gewichtseinheit:

0.000028 oz

Tags

PMZ35, PMZ3, PMZ