ZVN2110GTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

500 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.65 mm

Länge:

6.7 mm

Serie:

ZVN2110

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

FET

Breite:

3.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

250 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4 ns

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

ZVN2110GT, ZVN2110G, ZVN2110, ZVN211, ZVN21, ZVN2, ZVN