QS8K11TCR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSMT-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

35 mOhms, 35 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

7 nC, 7nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.2 S, 2.2 S

Abfallzeit:

7 ns, 7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns, 25 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns, 25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns, 10 ns

Teil # Aliase:

QS8K11

Tags

QS8K11, QS8K1, QS8K, QS8