STF4N52K3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

525 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.6 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

11 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

20 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

STF4N52K3

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STF4N, STF4, STF