FDS4435BZ-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

26 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

FDS4435BZ_F085

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

Power Trench MOSFET

Breite:

3.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

24 S

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Teil # Aliase:

FDS4435BZ_F085

Gewichtseinheit:

0.008127 oz

Tags

FDS4435BZ, FDS4435B, FDS4435, FDS443, FDS44, FDS4, FDS