NVD4856NT4G-VF01

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DPAK-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

89 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.45 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

38 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

60 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

73 S

Abfallzeit:

7.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

22.5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15.7 ns

Tags

NVD485, NVD48, NVD4, NVD