IRF7406GTRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

45 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Qg - Gate-Ladung:

59 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.1 S

Abfallzeit:

47 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

SP001563604

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

IRF7406, IRF740, IRF74, IRF7, IRF