DMP10H4D2S-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

270 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

1.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

440 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.975 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

DMP10

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

4.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.3 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

DMP10H4D, DMP10H, DMP10, DMP1, DMP