FDMS86200E

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-56

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

35 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

18 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

33 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

104 W

Aufbau:

Single Triple Source Quad Drain

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel PowerTRENCH MOSFET

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

33 S

Abfallzeit:

5.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Tags

FDMS86200, FDMS8620, FDMS862, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM