NTJD4152PT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

880 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

450 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

1.8 V

Qg - Gate-Ladung:

2.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

272 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTJD4152P

Transistortyp:

2 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.25 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3 S

Abfallzeit:

3.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.8 ns

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

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