FDMA86108LZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MicroFET-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

446 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

2.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.75 mm

Länge:

2 mm

Serie:

FDMA86108LZ

Breite:

2 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

1.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

7.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.2 ns

Gewichtseinheit:

0.001058 oz

Tags

FDMA86, FDMA8, FDMA, FDM