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NSVMMUN2113LT3G

NSVMMUN2113LT3G
Mfr. #:
NSVMMUN2113LT3G
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
NSVMMUN2113LT3G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NSVMMUN2113LT3G DatasheetNSVMMUN2113LT3G Datasheet (P4-P6)NSVMMUN2113LT3G Datasheet (P7-P9)NSVMMUN2113LT3G Datasheet (P10-P12)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-23-3
Polarität des Transistors:
PNP
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kollektor- Basisspannung VCBO:
50 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
250 mV
Maximaler DC-Kollektorstrom:
100 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Spule
Marke:
ON Semiconductor
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
80
Pd - Verlustleistung:
230 mW
Produktart:
BJTs - Bipolartransistoren
Qualifikation:
AEC-Q101
Werkspackungsmenge:
10000
Unterkategorie:
Transistoren
Gewichtseinheit:
0.000282 oz
Tags
NSVMMUN211, NSVMMUN21, NSVMMU, NSVMM, NSVM, NSV
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
***ark
Pnp Bipolar Digital Transistor (Brt) / Reel
***nell
RF TRANS, SINGLE PNP, 50V, 0.1A, SOT-23;
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
NSVMMUN2113LT3G
DISTI # NSVMMUN2113LT3G-ND		ON SemiconductorTRANS PREBIAS PNP SOT23-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 10000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 10000:$0.0554
NSVMMUN2113LT3G
DISTI # NSVMMUN2113LT3G		ON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: NSVMMUN2113LT3G)
RoHS: Compliant
Min Qty: 10000
Container: Reel		Americas - 0
  • 10000:$0.0431
  • 20000:$0.0429
  • 40000:$0.0423
  • 60000:$0.0418
  • 100000:$0.0407
NSVMMUN2113LT3G
DISTI # 68X4351		ON SemiconductorSS SOT23 BR XSTR PNP 50V / REEL0
  • 1:$0.0660
NSVMMUN2113LT3G
DISTI # 863-NSVMMUN2113LT3G		ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT SS SOT23 BR XSTR PNP 50V
RoHS: Compliant		8336
  • 1:$0.3900
  • 10:$0.2500
  • 100:$0.1100
  • 1000:$0.0900
  • 2500:$0.0700
  • 10000:$0.0600
Bild Teil # Beschreibung
LMV324IYDT

Mfr.#: LMV324IYDT

OMO.#: OMO-LMV324IYDT

 Operational Amplifiers - Op Amps CONDITIONING & INTERFACES
BC817,215

Mfr.#: BC817,215

OMO.#: OMO-BC817-215

 Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7
US2DA

Mfr.#: US2DA

OMO.#: OMO-US2DA

 Rectifiers 1.5A 200V High Effic Rectifier
LMV324IYDT

Mfr.#: LMV324IYDT

OMO.#: OMO-LMV324IYDT-STMICROELECTRONICS

 Instrumentation Amplifiers Low power rail-to-rail input/output op-amp
06035A8R0J4T2A

Mfr.#: 06035A8R0J4T2A

OMO.#: OMO-06035A8R0J4T2A-1105

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50volts C0G 8pF C0G 0603 SIZE
ERJ-3RED49R9V

Mfr.#: ERJ-3RED49R9V

OMO.#: OMO-ERJ-3RED49R9V-1090

 Thick Film Resistors - SMD Thick Film Chip R, 0603, 0.5%, Precision
CGA3E1X5R1C105M080AC

Mfr.#: CGA3E1X5R1C105M080AC

OMO.#: OMO-CGA3E1X5R1C105M080AC-TDK

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1uF 16volts X5R 20%
BC817,215

Mfr.#: BC817,215

OMO.#: OMO-BC817-215-NEXPERIA

 TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
NFE61PT472C1H9L

Mfr.#: NFE61PT472C1H9L

OMO.#: OMO-NFE61PT472C1H9L-MURATA-ELECTRONICS

 Feed Through Capacitors 4700PF 50V 2.0A EMI
US2DA

Mfr.#: US2DA

OMO.#: OMO-US2DA-ON-SEMICONDUCTOR

 DIODE GP 200V 1.5A DO214AC
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1990
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100
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11,00 $
1000
0,09 $
90,00 $
2500
0,07 $
175,00 $
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