BC847BV-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

45 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

300 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BC847B

DC-Stromverstärkung hFE Max:

450 at 2 mA, 5 V

Höhe:

0.6 mm

Länge:

1.6 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.2 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200 at 2 mA, 5 V

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000106 oz

Tags

BC847BV, BC847B, BC847, BC84, BC8