ZVNL110ASTZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

320 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

750 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

700 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.01 mm

Länge:

4.77 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

ZVNL110

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

FET

Breite:

2.41 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

225 mS

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

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