FCH165N65S3R0-F155

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3LD

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

19 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

165 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

39 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

154 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12 S

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

450

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

44 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Tags

FCH16, FCH1, FCH