BCP55,135

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

180 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

63 at 5 mA, 2 V

Höhe:

1.7 mm

Länge:

6.7 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.7 mm

Marke:

Nexperia

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

63 at 5 mA, 2 V, 63 at 150 mA, 2 V, 40 at 500 mA, 2 V

Pd - Verlustleistung:

960 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

/T3 BCP55

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

BCP55,1, BCP55, BCP5, BCP