IXFA4N100Q

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HyperFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.41 mm

Serie:

IXFA4N100

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

18 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXFA4N100Q, IXFA4N1, IXFA4, IXFA, IXF