NTD85N02R

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

24 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

85 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.8 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

38 S

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

77 ns

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.3 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NTD85N02R, NTD85N02, NTD85, NTD8, NTD