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IPB08CN10N G

IPB08CN10N G
Mfr. #:
IPB08CN10N G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 100V 95A D2PAK-2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPB08CN10N G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
95 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
8.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
167 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Höhe:
4.4 mm
Länge:
10 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
9.25 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
6 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
24 ns
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
15 ns
Teil # Aliase:
IPB08CN10NGXT
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
IPB08C, IPB08, IPB0, IPB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ponent Stockers
95 A 100 V 0.0082 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
***ark
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 95A, TO-263-3
***S
French Electronic Distributor since 1988
***nell
MOSFET, N CH, 95A, 100V, PG-TO263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 95A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0061ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 167W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max: 95A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vgs Max: 20V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPB08CN10N G
DISTI # IPB08CN10NG-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    Bild Teil # Beschreibung
    IPB08CNE8N G

    Mfr.#: IPB08CNE8N G

    OMO.#: OMO-IPB08CNE8N-G

    		 MOSFET N-Ch 85V 95A D2PAK-2
    IPB08CN10N G

    Mfr.#: IPB08CN10N G

    OMO.#: OMO-IPB08CN10N-G

    		 MOSFET N-Ch 100V 95A D2PAK-2
    IPB08CN10N G

    Mfr.#: IPB08CN10N G

    OMO.#: OMO-IPB08CN10N-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
    IPB08CNE8N G

    Mfr.#: IPB08CNE8N G

    OMO.#: OMO-IPB08CNE8N-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
    IPB08CN10NG

    Mfr.#: IPB08CN10NG

    OMO.#: OMO-IPB08CN10NG-1190

    		 Neu und Original
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    Available
    Auf Bestellung:
    3000
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