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TK25E60X5,S1X

TK25E60X5,S1X
Mfr. #:
TK25E60X5,S1X
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET Power MOSFET N-Channel
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK25E60X5,S1X Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK25E60X5,S1X DatasheetTK25E60X5,S1X Datasheet (P4-P6)TK25E60X5,S1X Datasheet (P7-P9)TK25E60X5,S1X Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK25E60X5,S1X Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
120 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
60 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
180 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSIV
Verpackung:
Rohr
Höhe:
15.1 mm
Länge:
10.16 mm
Serie:
TK25E60X
Breite:
4.45 mm
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
4 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
40 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
100 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
80 ns
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
TK25E60X5, TK25E6, TK25E, TK25, TK2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
***
POWER MOSFET TRANSISTOR
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Bild Teil # Beschreibung
INA181A4IDBVR

Mfr.#: INA181A4IDBVR

OMO.#: OMO-INA181A4IDBVR

 Current Sense Amplifiers MULTI CHANNEL CURRENT SENSE L/H SIDE
INA181A3IDBVR

Mfr.#: INA181A3IDBVR

OMO.#: OMO-INA181A3IDBVR

 Current Sense Amplifiers MULTI CHANNEL CURRENT SENSE L/H SIDE
LM358ADR

Mfr.#: LM358ADR

OMO.#: OMO-LM358ADR

 Operational Amplifiers - Op Amps Dual Op Amp
SN75176BDR

Mfr.#: SN75176BDR

OMO.#: OMO-SN75176BDR

 RS-422/RS-485 Interface IC Differential Bus
UCC28950PWR

Mfr.#: UCC28950PWR

OMO.#: OMO-UCC28950PWR

 Switching Controllers Green Phase-Shifted Full-Bridge Cntrlr
UMJ316BB7105MLHT

Mfr.#: UMJ316BB7105MLHT

OMO.#: OMO-UMJ316BB7105MLHT

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1206 50V 1uF 20% X7R AEC-Q200
P0447

Mfr.#: P0447

OMO.#: OMO-P0447

 Video IC Development Tools 8 Mega Pixel Digital Camera Package with GPIO interface
VLS201612CX-3R3M-1

Mfr.#: VLS201612CX-3R3M-1

OMO.#: OMO-VLS201612CX-3R3M-1-TDK

 FIXED IND 3.3UH 1.37A 170 MOHM
LM358ADR

Mfr.#: LM358ADR

OMO.#: OMO-LM358ADR-TEXAS-INSTRUMENTS

 Operational Amplifiers - Op Amps Dual Op Amp
UMJ316BB7105MLHT

Mfr.#: UMJ316BB7105MLHT

OMO.#: OMO-UMJ316BB7105MLHT-TAIYO-YUDEN

 CAP CER 1UF 50V X7R 1206
Verfügbarkeit
Aktie:
290
Auf Bestellung:
2273
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
4,20 $
4,20 $
10
3,38 $
33,80 $
100
3,08 $
308,00 $
250
2,78 $
695,00 $
500
2,50 $
1 250,00 $
1000
2,10 $
2 100,00 $
2500
2,00 $
5 000,00 $
5000
1,92 $
9 600,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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