BS170RL1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

500 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.19 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.2 S

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

BS170R, BS170, BS17, BS1