IXKF40N60SCD1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

ISOPLUS-i4-PAK-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

41 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

70 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.9 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

250 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS, ISOPLUS i4-PAC

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.34 mm

Länge:

20.29 mm

Serie:

IXKF40N60

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

CoolMOS Leistungs-MOSFET

Breite:

5.21 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

18 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

500 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Gewichtseinheit:

0.229281 oz

Tags

IXK