FMV11N70E

FMV11N70E
Mfr. #:
FMV11N70E
Hersteller:
Fuji Electric Co Ltd
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D),600V,2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET, TO-220AB
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FMV11N70E Datenblatt
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FMV11N, FMV11, FMV1, FMV
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FMV11N70E
DISTI # FE0000000001071
Fuji Electric Co LtdPower Field-Effect Transistor, 3A I(D),600V,2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET, TO-220AB
RoHS: Compliant
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    FMV11N70ESC-P
    DISTI # FE0000000004728
    Fuji Electric Co LtdMOSFET
    RoHS: Compliant
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      FMV11N70E-S25PP-P
      DISTI # FE0000000004727
      Fuji Electric Co LtdMOSFET
      RoHS: Compliant
      0 in Stock0 on Order
        Bild Teil # Beschreibung
        FMV10N80E,FMV11N60E,FMV1

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        Neu und Original
        FMV11N60E,FMV11N60ES,11N

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        Neu und Original
        FMV11N60ES 11N60ES

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        Neu und Original
        FMV11N60ES FMV11N60E

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        Neu und Original
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        Neu und Original
        FMV12N50E,12N50E

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        FMV12N50E-S25PP

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        FMV13N60ES

        Mfr.#: FMV13N60ES

        OMO.#: OMO-FMV13N60ES-1190

        Power Field-Effect Transistor, 13A I(D),600V,0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET, TO-220AB
        FMV16N50ES TK15A50D

        Mfr.#: FMV16N50ES TK15A50D

        OMO.#: OMO-FMV16N50ES-TK15A50D-1190

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