EFC3J018NUZTDG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

WLCSP-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

23 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

75 nC

Minimale Betriebstemperatur:

-

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erschöpfung

Verpackung:

Spule

Serie:

EFC3J018NUZ

Transistortyp:

Dualer N-Kanal

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

2800 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

890 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

4100 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

280 ns

Tags

EFC3, EFC