STL120N8F7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerFLAT-5x6-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

80 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

60 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

140 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

StripFET

Höhe:

1 mm

Länge:

6.15 mm

Serie:

STL120N8F7

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.2 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

15.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16.8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

60 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

34.5 ns

Tags

STL120, STL12, STL1, STL