BC859BLT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 45 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 0.65 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

0.94 mm

Länge:

2.9 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.3 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 0.1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

220

Pd - Verlustleistung:

225 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

BC859BLT1, BC859BL, BC859B, BC859, BC85, BC8