SIHB35N60EF-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

32 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

97 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

134 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

250 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Serie:

EF

Transistortyp:

1 N-Channel EF-Series Power MOSFET

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8 S

Abfallzeit:

61 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

85 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

96 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

28 ns

Tags

SIHB3, SIHB, SIH