DMN3052LSS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

30 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

4.95 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMN3052L

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.030018 oz

Tags

DMN3052LS, DMN3052, DMN305, DMN30, DMN3, DMN