BSS138W L6433

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

GaN

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

280 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.2 ns

Teil # Aliase:

BSS138WL6433XT

Gewichtseinheit:

0.000176 oz

Tags

BSS138WL6, BSS138WL, BSS138W, BSS138, BSS13, BSS1, BSS