APT56M50B2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

T-MAX-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

56 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

85 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

220 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

780 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

POWER MOS 8

Verpackung:

Rohr

Höhe:

5.31 mm

Länge:

21.46 mm

Breite:

16.26 mm

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

43 S

Abfallzeit:

33 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

45 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

100 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

38 ns

Tags

APT56M, APT56, APT5, APT