IXTK120P20T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-264-3

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

30 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Qg - Gate-Ladung:

740 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.04 kW

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

GrabenP

Verpackung:

Rohr

Höhe:

26.59 mm

Länge:

20.29 mm

Serie:

IXTK120P20

Typ:

TrenchP Leistungs-MOSFET

Breite:

5.31 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

85 S

Abfallzeit:

50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

85 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

200 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

90 ns

Gewichtseinheit:

0.264555 oz

Tags

IXTK120, IXTK12, IXTK1, IXTK, IXT