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SMBT3906E6327XT

SMBT3906E6327XT
Mfr. #:
SMBT3906E6327XT
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 40V 0.2A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SMBT3906E6327XT Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-23-3
Polarität des Transistors:
PNP
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
40 V
Kollektor- Basisspannung VCBO:
40 V
Emitter- Basisspannung VEBO:
6 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
0.4 V
Bandbreitenprodukt fT gewinnen:
250 MHz
Minimale Betriebstemperatur:
- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Spule
Marke:
Infineon-Technologien
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
200 mA
Pd - Verlustleistung:
330 mW
Produktart:
BJTs - Bipolartransistoren
Qualifikation:
AEC-Q101
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
3906 E6327 SMBT SMBT3906E6327HTSA1 SP000011680
Gewichtseinheit:
0.000282 oz
Tags
SMBT3906E632, SMBT3906E63, SMBT3906E6, SMBT3906E, SMBT3906, SMBT390, SMBT39, SMBT3, SMBT, SMB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Bild Teil # Beschreibung
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Mfr.#: BAT54SLT1G

OMO.#: OMO-BAT54SLT1G

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ATMEGA328P-AU

Mfr.#: ATMEGA328P-AU

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BAT54SLT1G

Mfr.#: BAT54SLT1G

OMO.#: OMO-BAT54SLT1G-ON-SEMICONDUCTOR

 Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
32
Auf Bestellung:
2015
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