CSD17484F4T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PICOSTAR-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.0 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

128 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

650 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

920 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

FemtoFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.2 mm

Länge:

1 mm

Serie:

CSD17484F4

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

0.6 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4 S

Abfallzeit:

4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns

Gewichtseinheit:

0.000014 oz

Tags

CSD174, CSD17, CSD1, CSD