NTS4172NT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-70-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

79 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

1.24 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.2 S

Abfallzeit:

2.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.5 ns

Gewichtseinheit:

0.000219 oz

Tags

NTS417, NTS41, NTS4, NTS