STW19NM60N

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

13 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

260 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

35 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

110 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

MDmesh

Verpackung:

Rohr

Serie:

STW19NM60N

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

600

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

55 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

STW19, STW1, STW