APT29F100B2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

T-MAX-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

440 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

260 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.04 kW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

34 S

Abfallzeit:

33 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

35 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

130 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

39 ns

Tags

APT2, APT