BSC12DN20NS3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

108 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

8.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

50 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.27 mm

Länge:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS 3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6 S

Abfallzeit:

3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Teil # Aliase:

BSC12DN20NS3GATMA1 SP000781774

Tags

BSC12D, BSC12, BSC1, BSC