2N4123TAR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3 Kinked Lead

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

30 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

250 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

150

Höhe:

4.7 mm

Länge:

4.7 mm

Verpackung:

Munitionspackung

Breite:

3.93 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

50

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.008466 oz

Tags

2N4123T, 2N4123, 2N412, 2N41, 2N4