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TK17E80W,S1X

TK17E80W,S1X
Mfr. #:
TK17E80W,S1X
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK17E80W,S1X Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK17E80W,S1X DatasheetTK17E80W,S1X Datasheet (P4-P6)TK17E80W,S1X Datasheet (P7-P9)TK17E80W,S1X Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK17E80W,S1X Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
800 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
17 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
250 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
32 nC
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
180 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSIV
Serie:
TK17E80W
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
7 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
24 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
58 ns
Gewichtseinheit:
0.063493 oz
Tags
TK17E8, TK17E, TK17, TK1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-220SIS2 PD=45W F=1MHZ
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
***i-Key
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Bild Teil # Beschreibung
ADS1118QDGSRQ1

Mfr.#: ADS1118QDGSRQ1

OMO.#: OMO-ADS1118QDGSRQ1

 Analog to Digital Converters - ADC Ult. sml 16 bit ADC w 4Input Mux, AUTO
TPS613222ADBVT

Mfr.#: TPS613222ADBVT

OMO.#: OMO-TPS613222ADBVT

 Switching Voltage Regulators FG OF TPS613222ADBV
B82724J8432N040

Mfr.#: B82724J8432N040

OMO.#: OMO-B82724J8432N040

 Fixed Inductors RING CORE CHOKE 2x6.8mH 4.3A
AT42QT1070-SSUR

Mfr.#: AT42QT1070-SSUR

OMO.#: OMO-AT42QT1070-SSUR

 Capacitive Touch Sensors QTouch 7 Channel Touch Sensor IC
226BPA050M

Mfr.#: 226BPA050M

OMO.#: OMO-226BPA050M

 Aluminum Electrolytic Capacitors - Axial Leaded 22uF 50V 20% tol. ELECTROLYTIC
ADS1118QDGSRQ1

Mfr.#: ADS1118QDGSRQ1

OMO.#: OMO-ADS1118QDGSRQ1-TEXAS-INSTRUMENTS

 Analog to Digital Converters - ADC Ult. sml 16 bit ADC w 4Input Mux, AUTO
TPS613222ADBVT

Mfr.#: TPS613222ADBVT

OMO.#: OMO-TPS613222ADBVT-TEXAS-INSTRUMENTS

 Conv DC-DC 0.9V to 5.5V Step Up Single-Out 5V 5-Pin SOT-23 T/R
STLQ020J33R

Mfr.#: STLQ020J33R

OMO.#: OMO-STLQ020J33R-STMICROELECTRONICS

 IC REG LIN 3.3V 200MA 4FLIPCHIP
AT42QT1070-SSUR

Mfr.#: AT42QT1070-SSUR

OMO.#: OMO-AT42QT1070-SSUR-MICROCHIP-TECHNOLOGY

 IC TOUCH SENSOR 7KEY 14-SOIC
HDC2080DMBT

Mfr.#: HDC2080DMBT

OMO.#: OMO-HDC2080DMBT-TEXAS-INSTRUMENTS

 HUMIDITY SENSOR
Verfügbarkeit
Aktie:
133
Auf Bestellung:
2116
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4,20 $
10
3,38 $
33,80 $
100
3,08 $
308,00 $
250
2,78 $
695,00 $
500
2,50 $
1 250,00 $
1000
2,10 $
2 100,00 $
2500
2,00 $
5 000,00 $
5000
1,92 $
9 600,00 $
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