FDM2509NZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

T

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MLP-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

18 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

5 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

2 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

36 S

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

750

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Teil # Aliase:

FDM2509NZ_NL

Gewichtseinheit:

0.007055 oz

Tags

FDM25, FDM2, FDM