MRF9002NR2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

NXP

Produktkategorie:

HF-MOSFET-Transistoren

RoHS:

Y

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Technologie:

Si

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

65 V

Gewinnen:

18 dB

Ausgangsleistung:

2 W

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PFP-16

Verpackung:

Spule

Aufbau:

Dreifacher Doppelablauf

Höhe:

2.1 mm

Länge:

7.1 mm

Arbeitsfrequenz:

1 GHz

Typ:

HF-Leistungs-MOSFET

Breite:

7.1 mm

Marke:

NXP / Freescale

Kanalmodus:

Erweiterung

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Pd - Verlustleistung:

4 W

Produktart:

HF-MOSFET-Transistoren

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Tags

MRF9002, MRF900, MRF90, MRF9, MRF