BSS84V-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

130 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.6 mm

Länge:

1.6 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

BSS84

Transistortyp:

2 P-Channel

Breite:

1.2 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.000106 oz

Tags

BSS84V-7, BSS84V, BSS84, BSS8, BSS