TP86R203NL,LQ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

19 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

17 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.9 W

Aufbau:

Single Quad Drain

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.68 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

TP86R203NL

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

3.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.030018 oz

Tags

TP86R, TP86, TP8