CSD87334Q3DT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VSON-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8.3 mOhms, 8.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

750 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

8.3 nC, 8.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

6 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

CSD87334Q3D

Breite:

3.3 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

62 S

Entwicklungs-Kit:

VSON

Abfallzeit:

17 ns, 17 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns, 7 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11 ns, 11 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4 ns, 4 ns

Gewichtseinheit:

0.002677 oz

Tags

CSD8733, CSD873, CSD87, CSD8, CSD