R5016ANJTL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

16 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

210 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

50 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

100 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

R5016ANJ

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6 S

Abfallzeit:

55 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

50 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

150 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

40 ns

Teil # Aliase:

R5016ANJ

Gewichtseinheit:

0.077603 oz

Tags

R5016ANJ, R5016A, R5016, R501, R50